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光弹调制器

美国Hinds Instruments, Inc公司是世界著名的（同时也是世界*的一家）光弹调制器（photoelastic modulators）生产商。Hinds Instruments公司的PEM可以控制光束的偏振状态的改变，调制速率为20~100kHz。（PEM）的作用就像一个“动态的波片”，可以使快轴和慢轴之间产生一个周期变化的折射率差，从而控制透过光束的偏振进行周期性的变化。具体而言即，（photoelastic modulators）通过对线偏振光添一定的相位使输出光在圆偏振、椭圆偏振、线偏振等状态之间井进行变化，同时（PEM）还可以使光在左旋、右旋两种状态之间进行切换。

对比声光调制器、电光调制器、液晶调制器的*之处包括：

? 非常大通光孔径（15到30mm，标准），同时保持很高的调制器频率

? 超大接受角度（市场角）范围（+/- 20°）

? 波长覆盖范围大（170nm~10um，FIR~THZ）

? 高损伤阈值

? 可精确控制相位延迟

美国Hinds Instruments, Inc公司PEM电学和光学头封装在不同的部件中。这样能够zui小化光学系统单元的尺寸，同样也使得光学头与磁场或真空兼容（当这些有需要的时候）。

需要进一步了解关于原理，请点击这里

应用举例：

在偏振方向调制中的应用介绍.pdf

Hinds Instruments主要分为两个系列：

Series I 系列使用矩形光学原件，波长覆盖紫外、可见光和红外至1或者2um。

Series II系列使用对称或者八角形的光学原件，波长覆盖可见和红外（到中红外）频谱区域。特殊的型号可用于紫外。

Hinds Instruments公司的光学头使用不同的光学材料，材料的选取主要取决于仪器频谱透射率的需要。表1列出了通常使用的材料。

TABLE 1
SPECTRAL REGION	SERIES	MATERIAL
Vacuum UV, UV	I	Lithium Fluoride
Vacuum UV to mid-IR	I,II	Calcium Fluoride
Vacuum UV to near-IR	I,II	Fused Silica
Mid-visible to mid-IR	II	Zinc Selenide
Near- to mid-IR	II	Silicon

相对于Series II八角形光学元件，Series I矩形的光学元件在相同厚度的情况下，相位延迟量更少。在红外波段，这是一个缺点，但是在紫外波段，尤其是真空紫外，这则变成为了一个很大优点。

八角形（Series II）光学元件在给定的厚度下更加的有效率，因此在红外波段有更多的优势。使用Series II操作低延迟量（例如：深紫外）或许会造成一些问题。

可选选项（规格和价格会因为客户需要而改变，详情询问昊量光电的工程师）

? 增透膜，Model ARC。防反射膜可用于任何光学调制器上，窄带宽和宽带宽镀膜都可得。
? 请昊量光电关于频谱范围和透射率要求
? 无干涉选项，Model NIO。这一项用于偏转光束路径，因此消除了调制器干涉
? 特殊频率，Model SFO。标准的调制头配以特殊频率
? 特殊光学头/电学头电缆，Model SLHH
? 特殊调制头附件，Model SHE。光学头可以根据客户需要提供特殊形状
? 真空操作。PEM可用于真空环境，详情请询问Hinds
磁场兼容选项，Model MFC。光学头不含任何磁铁材料，用于强磁场中

基本指标

Model	Optical Material	Nominal Frequency	Retardation Range		Useful Aperture1
Model	Optical Material	Nominal Frequency	Quarter Wave	Half Wave	Useful Aperture1
I/FS50	Fused Silica	50 kHz	170nm - 2μm	170nm - 1μm	16mm
I/FS20	Fused Silica	20 KHz	170nm - 2μm	170nm - 1μm	22mm
I/CF50	Calcium Fluoride	50 kHz	130nm - 2μm	130nm - 1μm	16mm
II/FS20A	Fused Silica	20 kHz	170nm - 2μm	170nm - 1μm	56mm
II/FS20B	Fused Silica	20 kHz	1.6μm - 2.6μm	800nm - 2.5μm	56mm
II/FS42A	Fused Silica	42 kHz	170nm - 2μm	170nm - 1μm	27mm
II/FS42B	Fused Silica	42 kHz	1.6μm - 2.6μm	800nm - 2.5μm	27mm
II/FS47A	Fused Silica	47 kHz	170nm - 2μm	170nm - 1μm	24mm
II/FS47B	Fused Silica	47 kHz	1.6μm - 2.6μm	800nm - 2.5μm	24mm
II/FS84	Fused Silica	84 kHz	800nm - 2.5μm	400nm - 2.5μm	13mm
II/IS42B	Fused Silica	42 kHz	1.6μm - 3.5μm	800nm - 2.5μm	27mm
II/IS84	Fused Silica	84 kHz	800nm - 3.5μm	400nm - 1.8μm	27mm
II/CF57	Calcium Fluoride	57 kHz	2μm - 8.5μm	1μm - 5.5μm	23mm
II/ZS37	Zinc Selenide	37 kHz	2μm - 18μm	1μm - 9μm	19mm
II/ZS50	Zinc Selenide	50 kHz	2μm - 18μm	1μm - 10μm	14mm
II/SI40	Silicon	40 kHz	FIR - THz	FIR - THz	36mm
II/SI50	Silicon	50 KHz	FIR - THz	FIR - THz	29mm

美国Hinds Instruments, Inc公司相关文献请参考：http://www.auniontech。。ｃｏｍ/n/document/v_Paper_of_Hinds.html

光弹调制式反射差分光谱仪的理论分析.pdf

在偏振方向调制中的应用.pdf

应用的Mueller矩阵分析.pdf

式多通道反射差分光谱技术.pdf

定标新方法.pdf

光弹调制差分反射分析系统的建立与应用.pdf

使用测量D-丙氨酸单晶低温变温光学性质的研究.pdf

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